电容器如何抑制电路引入的高频干扰？

　　一般来说，去耦电容用于滤除电路中的高频干扰信号，干扰信号一般为2πC。

　　不，不，不。

　　一般的经验值，我记得两个电容器一般是1UF和104M，也就是说滤掉集成电路电源和地之间的10M和100M高频信号去耦电容：推荐一方面是集成电路的储能电容；另一方面是绕过器件的高频噪声。

　　数字电路中典型的去耦电容为0.1μF。

　　该电容器分布电感的典型值为5μH。

　　0.1μF的解耦电容具有5μH的分布电感，其并联谐振频率约为7 MHz，即对10 MHz以下的噪声有较好的解耦效果，而对40 MHz以上的噪声影响不大。

　　电容为1μF和10μF，并联谐振频率在20 MHz以上，高频噪声去除效果较好。

　　每10个左右的集成电路加一个充放电电容，或一个储能电容器，都可以选择10μF左右。

　　最好不要使用电解电容器。

　　电解电容器卷起两层薄膜，这种线圈结构在高频下表现为电感。

　　使用钽电容器或聚碳酸酯电容器。

　　去耦电容的选择不严格，可以按1μF，即10 MHz按0.1μF，100 MHz按0.0 1mgF。