针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：Bulk电容电压+N*Vo+VspikeBulk电容电压最大值，在没有PFC线*VinN为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。