晶体管处于饱和状态时，可近似看成是开关处于开启状态。这与直接导通是有区别的。因为，所有的半导体模拟开关，永远做不到在开启时完全与导线联通完全相等。

　　在处于晶体管饱和状态时，集电极与发射极之间的电压降，在工程上称为“反向饱和压降”，记作：Vces；而把基极与发射极之间的电压降称为“正向饱和压降”，记作：Vbes。饱和压降是电流的函数，且与电流成正比。当晶体管用于放大电路时，饱和压降对放大电路的动态范围有影响，这在音频功放中尤其明显，当所选晶体管的电流较小时，其不失真输出功率受饱和压降的影响，很难达到设计要求。

　　半导体材料亦有阻值，只不过它有单向导通的特性，正向阻值小，反向阻值大而已(正丶反向相对而讲)，管子用的时间长了也会发热(大功率管子比较明显)。三极管有个正向导通压降是个技术参数。三极管饱和导通后基极~发射极之间；集电集~发射极之间都有不同的压降。

　　三极管完全饱和压降保持恒定，不随电流变化而变化。