nMOS：Vth=0.7V

　　，pMOS：Vth=-0.8V。

　　MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

　　在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(

　　如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。

　　扩展资料：

　　对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs

　　=

　　

　　0时，半导体表面的能带为平带状态）。

　　阈值电压可给出为VT

　　=

　　(

　　SiO2层上的电压Vi

　　)

　　+

　　2ψb

　　=

　　－[2εεo

　　q

　　

　　Na

　　(

　　2ψb

　　)]

　　/

　　Ci

　　+

　　2ψb

　　,式中Vi

　　≈

　　(耗尽层电荷Qb)

　　/

　　Ci，Qb

　　=－(

　　2εεo

　　q

　　Na

　　[

　　2ψb

　　]

　　)，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。