对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。\r \r 可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？ \r 你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！