三极管的特性曲线有输入特性曲线输出特性曲线两种。

　　输入特性曲线：

　　在三极管共发射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UCE 维持不同的定值时，uBE和iB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线。一般情况下，当UCE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此时再增大UCE对iB的影响很小，也即UCE＞1V以后的输入特性与UCE＝1V的一条特性曲线重合，所以，半导体器件手册中通常只给出一条UCE≥1V时的输入特性曲线，如图所示。输入特性曲线的数学表达式为：iB＝f（uBE）UCE = 常数

　　三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似，也存在一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。导通后，硅管的UBE约为0.7V，锗管的UBE约为0.3V。

　　输出特性曲线：

　　输出特性是指以基极电流IB为常数，输出电压uCE和输出电流iC之间的关系，即：iC＝f（uCE）IB =常数。对于不同的IB，所得到的输出特性曲线也不同，所以，三极管的输出特性曲线是一簇曲线。根据三极管的工作状态不同，可以将输出特性分为三个区域，如图所示。

　　硅管的管压降为0.7V；锗管的管压降为0.3V。

　　（1）截止区：指IB=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流ICEO。

　　（2）饱和区：指紫色区域。在此区域内，对应不同IB值的输出特性曲线族几乎重合在一起。也就是说，UCE较小时，IC虽然增加，但IC增加不大，即IB失去了对IC的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集－射饱和压降，用UCES表示。UCES很小，通常中小功率硅管UCES＜0.5V。

　　三极管的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线两种