MOS管和三极管不同，是可以反向导通的

　　MOS管有三个脚，栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。其中栅极(G)为导通的控制引脚。MOS分为N沟道和P沟道两种。MOS管导通时，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，电流也可以从源极(S)流向漏极(D)。

　　在增强型MOS中，漏极(D)和源极(S)之间会有一个背靠着的PN结，栅极(G)没有施加电压时，总会有一个PN结反偏，导通不了。当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。

　　充电宝大家都用过了吧？有一种充电宝只有一个接口，充电和放电共用这个接口，它会自识别插入的是充电器还是手机，接上充电器时，自动对充电宝进行充电；接上手机时，自动切换为放电，对手机进行充电。这种设计就需要用到MOS的双向导通特性了，充电时，电流从MOS的源极(S)流向漏极(D)，放电时，电流从漏极(D)流向源极(S)。

　　MOS是电压驱动型器件，驱动电压满足它的门极开启电压（Vgs）就可以让它导通。

　　N沟道MOS管：DR为高电平时导通

　　P沟道MOS管：DR为低电平时导通

　　在设计MOS驱动电路时，一定要注意它的门极开启电压（Vgs)。如果门极驱动电压不足，会导致MOS导通不完全，内阻增大，发热量增加。

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　　MOS管是常用的电子元器件，经常被用作功率开关来使用，如用在可控整流电路中、用作控制直流负载回路的通断等。MOS管因为工艺的原因，会存在寄生/体二极管，所以会存在双向导通的问题。

　　MOS可以分为NMOS和PMOS。两者在使用的时候，其电流方向是不一样的。NMOS寄生二极管的正极在S源极上，负极在漏极D上，当作开关使用时电流ID的方向由漏极D指向源极S。而PMOS寄生二极管的正极在漏极D上，负极在源极S上，当作开关使用时电流由源极S指向漏极D。

　　上图是NMOS和PMOS的电路符号和电流的方向，MOS在直流电路中应用的时候一定要注意电流的方向。电流方向与寄生二极管的方向是相反的。

　　MOS管在制造时，因为工艺的原因，存在寄生二极管，也叫做体二极管。以NMOS为例介绍，NMOS由一块P型半导体和两块N型半导体构成。我们知道二极管是由PN结构成的，一个PN结就是一个二极管。NMOS中，有两个PN结，所以存在两个二极管，即体二极管，只不过其中一个在NMOS导通后被短路掉，最后只剩下一个。NMOS的半导体结构如下图所示。

　　电源防反接电路可以通过二极管/整流桥来实现，但是会带来电压降，对于低压而言不适用。MOS管也可以用作电源的防反接。下面以PMOS防反接为例来讲解。PMOS防反接电路示意图如下图所示。

　　电源反接时，G为高电平，UGS>0，所以PMOS不导通；

　　使用NMOS也可以实现电源防反接。在使用时必须要注意：PMOS要放在高边；NMOS要放在低边。

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　　MOS管的Ｄ、Ｓ极之间存在寄生二极管，被称为体二极管。

　　从MOS管的结构示意也可以看出寄生二极管的存在，如下图：

　　寄生二极管是由生产工艺造成的，ＭOS管的漏极从硅片底片引出，从而产生了寄生的二极管。

　　寄生二极管可以起到以下两个作用：

　　１、防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

　　2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。