二极管的反向耐压值即二极管能够正常工作的最高电压,超过这个电压可能会损坏二极管。

　　二极管特性：正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

　　这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。 在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

　　当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为06~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

　　一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。 温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。

　　引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。

　　因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

　　二极管在正向联结时是导通的，只有0.6v左右的压降，相当于导体，而二极管在反向联结时，由于PN结反偏，二极管是不导电的，相当于绝缘体，但是二极管反偏是有耐压值的，一旦加在二极管的反偏电压超过了最大值vDm，二极管将因超过电压而被击穿，该二极管将损坏。

　　二极管反向接法时，二极管两端承受的电压称为反向电压，如果这个反向电压足够大，二极管就被击穿了（你可以认为变成导线了），此时这个击穿的反向电压就叫反向击穿电压，这个电压值就是反向耐压值。