二极管击穿有两种方式

　　一种是zener breakdown 也就是齐纳击穿 。这种发生在高浓度的pn结中 ，虽然载流子很难碰撞到束缚的价电子 ，但是随着电压不断升高电场强度增大 。总有一个场强会使共价键破裂形成电子空穴对 ，从而击穿 。当温度升高价电子挣脱束缚的能力越强 ，挣脱后能量更高移动更快 ，自然这样的击穿电压会减小。

　　另一种是avalanche breakdown也就是雪崩击穿 ，这种发生在低浓度的pn结中， 随着反向电压升高 ，载流子在不断加强的电场中会以足够的动能碰撞束缚的价电子 ，实现电子空穴对。 自由移动的电子继续碰撞其他的产生更多的电子空穴对 ，这种一推二 ，二推四的效应类似雪崩一样 ，所以名字由此得来 。试想温度升高 ，晶格散射加强 ，电子迁移率下降， 所以平均自由程变短 ，更高的温度下碰撞能量更小 。因此温度越高击穿电压越高， 两种不一样的击穿方式得到的温度和电压关系也就完全不一样了。