二极管具有单向导电特性，N82S25N只允许电流从正极流向负极，而不允许电流从负极流向正极。二极管的伏安特性是在外加电压的作用下，二极管电流变化规律的曲线，图2 -53画出了较为典型的硅与锗二极管的伏安特性曲线。由图2 -53可见，它有正向特性和反向特性两部分。

　　当二极管加正向电压时，有一死区电压，或称开启电压坼，其大小与材料及环境温度有关。一般来说，硅管的死区电压约为0. SV，锗管的死区电压约为0.1V。当二极管正向电压超过死区电压后，正向电流变化很大，而电压的变化极小，曲线几乎接近于直线。为了计算的方便，通常认为硅管的导通电压为0.6~0.7V，锗管的导通电压为0.2～0.3V。

　　当二极管接反向电压时，由图2 - 53可见，反向电流很小，且与反向电压无关，称为反向饱和电流，小功率硅管的反向饱和电流小于0.1V,A，锗管约为几十微安。由于半导体的热敏特性，反向饱和电流将随温度的升高而增大。

　　当反向电压超过一定限度时，反向电流将急剧增加，二极管失去了单向导电性，这种现象叫做反向击穿，此时的反向电压称为反向击穿电压UD。PN结击穿后结电流急剧变化而PN结两端的电压却基本保持不变。利用这一特性可以做成稳压管。需要指出的是，击穿并不意味着PN结的损坏，只要击穿后流过PN结的电流不超过某一限度（如在PN结外电路接限流电阻来达到限制电流的目的），PN结可保持完整无损且允许击穿现象重复发生。

　　二极管的主要参数有：

　　(1)额定正向工作电流。也称最大整流电流，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的1N4001型硅二极管的额定正向工作电流为1A。

　　(2)最高反向工作电压。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，1N4001二极管反向耐压为50v，1N40007的反向耐压为1000V，

　　(3)最高工作频率。也称截止频率。由于PN结极间电容的影响，当二极管作检波使用时，有一个上限工作频率，即二极管能正常工作的最高频率。一般应选用最高工作频率是电路实际工作频率2倍的二极管，否则不能正常工作。