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碳化硅的光电性能?氮化硅光学性质

作者:机械网
文章来源:本站

  碳化硅的种类有很多,而且,被应用在不同的领域中。然而,想要通过合理应用碳化硅,充分发挥出碳化硅的作用,先要了解碳化硅的基本信息。那么碳化硅的物理性能及应用范围有哪些呢?河南四成绿碳化硅厂家为大家介绍碳化硅的物理性能及应用范围。

  碳化硅的物理性能:

  1、碳化硅的热导率及线膨胀系数。作为一种耐火材料,碳化砖具有优越的抗热震性能。这一点具体表现在它具有高的热导率(导热系数)和较低的线膨胀系数。

  

碳化硅的光电性能?氮化硅光学性质

  2、碳化硅的导电性能。碳化硅是一种半导体,其导电性能随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化,电阻率在10-2-1012Ω·cm之间。其中对碳化硅导电性影响较大的杂质是铝、氮和硼,含铝较多的碳化硅导电性显著加大。

  3、碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变,但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值,继续升高温度,导电率又会下降。

  碳化硅应用范围:

  1、在有色金属行业中应用。碳化硅材料还是拥有很不错的特性,是属于一种可以耐高温,而且强度比较高,导热性比较好的材料,包括在使用中还能很好的耐冲击,能直接进行间接加热的材料。

  2、在钢铁行业中应用。正是因为碳化硅材料的耐腐蚀性,以及耐冲击的性能,所以这样的材料也可以用在大型的高炉中,能延长其中的使用寿命。

  

碳化硅的光电性能?氮化硅光学性质

  碳化硅材料的导热性能,加上强度比较高,所以说,还可以直接提高了窑的质量,因此成为了如今陶瓷釉面进行烧结的一种材料,加上耐磨性等性能,因此还能在如今的航空行业中也可以有着不错的应用效果。

  SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体。与 Si 相比,SiC 具有十倍的介电击穿场强、三倍的带隙和三倍的热导率。在半导体材料中形成器件结构所必需的 p 型和 n 型区域都可以在 SiC 中形成。这些特性使 SiC 成为一种极具吸引力的材料,可用于制造性能远远超过其 Si 同类产品的功率器件。SiC 器件可以承受更高的击穿电压,具有更低的电阻率,并且可以在更高的温度下工作。

  SiC 以多种多晶型晶体结构存在,称为多型,例如 3C-SiC、6H-SiC、4H-SiC。目前4H-SiC在实际功率器件制造中通常是首选。直径为3英寸至6英寸的单晶4H-SiC晶片可商购获得。

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