砷化镓比硅更适合于制作单片微波集成电路（包括超高速电路）主要是由于：

　　①半绝缘砷化镓衬底的电阻率高达107～109欧·厘米，微波传输损耗小；

　　②砷化镓电子迁移率比硅高5倍左右，工作频率高，速度快；

　　③关键有源器件砷化镓金属－半导体场效应晶体管是一种多功能器件，抗辐照性能好，所以砷化镓单片微波集成电路在固态相控阵雷达、电子对抗设备、战术导弹、电视卫星接收、微波通信和超高速计算机、大容量信息处理方面有广泛的应用前景。