利用串联二极管的方式也能消除交越失真，但问题在于温度特性。我们知道，作为推挽输出的这一级电路是用来做缓冲，放大电流的，因此，温度特性至关重要。

　　但问题在于，三极管的Vbe是具有负温度特性的，这也是我们利用它产生PTAT或者CTAT基准源的原理之一，可是串联在基极的二极管实际上通过的电流很小，因此上，其温度特性并不明显，dz这就造成了Vdiode不等于Vbe的情况，因此，必须改进电路的拓扑结构以改进温度特性。