C3M0120100K 碳化硅功率 MOSFET 为 1kV 器件，采用经过优化的封装，适用于快速开关器件。 C3M0120100K 采用增强型四引脚 TO-247-4 封装，得益于 Kelvin 栅极连接，具有较低的开关损耗并可最大限度地降低栅极电路振铃。 这样可增加爬电距离，从而最好地支持这些较高电压分立式器件的运行。

　　该 1kV 器件专门针对电动汽车充电系统和三相工业电源进行了优化，通过提供独特的器件解决了诸多电源设计挑战。

　　C3M0120100K 具有低导通电阻、极低输出电容和低源极电感，实现了低开关损耗和低导通损耗的完美融合。