三极管工作在饱和区时,其发射结与集电结均为正偏。

　　对于小功率npn型硅管,呈现为vbe多0.7v(略大于工作在放大区时的数值),vbc>;0v (不大于vbe的值);

　　对于小功率npn型锗管,类似地有vbe≥0.2v(略大于工作在放大区时的值),vbc>;ov (不大于vbe的值)。

　　对于pnp型的晶体管,上述电压值的符号相反,即小功率的pnp型硅管,vbe≥-0.7v,vb<0v(不小于vbe的值;小功率pnp型锗管,vbe≤-2v,vbc<0v(不小于vbe的值)。

　　一般情况下,此时的vce≈0.3v(硅管)或 vce≈0.1v(锗管),如果我们检测出电路中的晶体三极管极间电压符合上述情况,则可判断该三极管工作在饱和区。

　　对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

　　2、对于PNP型硅三极管，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极电压0.4V以上且高于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。