寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。

　　ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。

　　我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。

　　

　　

　　故此，如果MOS的开关速度很快的情况下，建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。

　　电容随着VDS电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。当电压增加时，和VDS相关电容的减小来源于耗尽层电容减小，耗尽层区域扩大。然而相对于CGD，CGS受电压的影响非常小，CGD受电压影响程度是CGS的100倍以上。

　　当电容二端的电压增加时，就会形成对电容的充电电流，电容二个电极上的电荷量也会增加，因此，电容二端电压的变化是通过二个电极上的电荷的变化来实现。

　　电容值的大小，和电容二个电极的面积A成正比，和二个电极的距离d成反比，和介质介电常数e成正比。