砷化镓是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料，由于禁带宽度宽、电子迁移率高，因而不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器，红外探测器和高效太阳能电池等，而且在微电子方面，以半绝缘砷化镓为基体，用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点，不仅在国防上具有重要意义，在民用和国民经济建设中更有广泛应用。

　　mems芯片和砷化镓都好，微型化MEMS器件体积小,一般单个MEMS传感器的尺寸以毫米甚至微米为计量单位,重量轻、耗能低。同时微型化以后的机械部件具有惯性小、谐振频率高、响应时间短等优点

　　批量生产以单个5mm*5mm 尺寸的MEMS 传感器为例,用硅微加工工艺在一片8 英寸的

　　集成化一般来说,单颗MEMS 往往在封装机械传感器的同时,还会集成ASIC 芯片