主要的就是下面几种了1.机械剥离法优点：制备成本非常低（几乎可忽略），易于学习，且此法得到的石墨烯质量非常好好，缺陷少，性能优异缺点：得到的石墨烯尺寸很小，一般在10-100um之间，而且完全不可能大规模制备2.SiC外延生长优点：能较大尺寸生长（报道的有4寸大小的），且得到的石墨烯性能优异缺点：原料成本较高，设备成本也很高，生长温度很高（1400°），一般设备达不到，而且也很难生长太大尺寸的石墨烯3.氧化石墨还原法优点：方法较简单，原料成本不高，基本没有设备成本，且易于规模制备缺点：此法得到的石墨烯缺陷非常多，电学、力学性能都较差4.CVD，化学气相沉积法优点：单次生长尺寸可以很大（将近20寸），有可能规模化生产，且生长得到的石墨烯性能很好缺陷少缺点：转移是难题，而且生长出来的一般都是多晶