P-是电池包（pack）的输出负极，一般是B-经过保护板的MOSFET开关后即P-

　　异质结双极晶体管（Heterojunction bipolar transistor,HBT）是在双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT)的基础上，只是把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采用了异质结来代替。