在BJT的发射极正偏、集电结0偏时，晶体管仍然处于放大状态（输出电流正比于输入电流），但是输出电流已经达到了最大；这时只要集电结电压稍微增大一点而正偏的话，那么晶体管就进入到饱和状态（输出电流与输入电流无关，而由外电路参量决定）。所以把这种发射极正偏、集电结0偏的状态特称为临界饱和状态。

　　在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴（电流轴）的一个小范围内.BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度；但为了提高提高击穿电压，又需要减小集电区掺杂浓度，这是一个矛盾。为解决此矛盾，就发展出了外延片的技术，即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层，然后在外延层上制作BJT;对于集成电路中的BJT来说，因为所有的电极都需要从芯片表面引出，因此在外延的基础上，还需要通过在器件有源区下面加设低阻埋层来减小集电极串联电阻。总之，在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降.