三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

　　主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏，集电结反偏——放大状态；发射结正偏，集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏，集电结也反偏——截止状态。

　　这些状态之间的转换，可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制，例如：在放大状态时，随着输入电流的增大，当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时，则电源电压就完全降落在负载电阻上，于是集电结就变成为0偏压，并进而变为正偏压——即由放大状态转变为饱和状态。当输入电压反偏时，则发射结和集电结都成为了反偏，没有电流通过，即为截止状态。

　　三极管饱和时偏置条件是根据发射结和集电结的正偏和反偏来判断的.发射结正偏,集电结反偏为放大状态;发射结正偏,集电结正偏为饱和状态;发射结反偏,集电结反偏为截止状态.半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

　　当输入信号不为零时，在保持UCE不变的情况下，集电极电流的变化量Alc写基极电流的变化量AIB的比值，称为动态（交流）电流放大系数，卢与卢具有不同的含义，但在输出特性的线性区，两者数值较为接近，一般不作严格区分。

　　常用的小功率三极管，p值约在30～200之间，大功率管的卢值较小。』9值太小时，三极管的放大能力差，卢值太大时，三极管的热稳定性能差，通常以100左右为宜。