一：计算下偏置电阻R2值

　　Ube：三极管基极发射极电压，锗晶体三极管约为0.2V；硅晶体三极管约为0.6-0.7V。

　　三极管8050是硅管，设Ube=0.65V、Ic=Ie=2.5MA、放大倍数Hfe=200

　　Ib=Ic/Hfe=2.5*10∧-3/200=12.5uA (10∧-3即10的负3次方)

　　设：流过R2电阻的基极电流Ib的10倍

　　IR2=10*12.5*10∧-6=125uA (10∧-6即10的负6次方)

　　设：Ue为电源电压12V的20%。

　　Ue=12*20%=2.4V

　　UR2=Ube+Ue=0.65+2.4=3.05V

　　R2=UR2/IR2=3.05V/125*10∧-6=24.4K,取值：24K

　　二：计算上偏置电阻R1值

　　IR1=Ib+IR2=125+12.5=137.5uA

　　

　　电源电压：12V

　　UR1=12V-UR2=12-3.05=8.95V

　　R1=UR1/IR1=8.95/137.5*10∧-6=65K

　　三：计算反馈电阻R4值

　　R4=Ue/Ie=2.4/2.5*10∧-3=960Ω（欧姆），取值：1K

　　四：计算负载电阻R3值

　　Uce:三极管集电极与发射极电压。

　　Uce为1/2电源电压时可以获得最大电压输出。

　　Uce=12*1/2=6V

　　R3=Uce/Ic=6/2.5*10∧-3=2.4K