IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。

　　普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。

　　大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。

　　将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。

　　IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。

　　常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。

　　测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。

　　若测3脚间电阻均很小或均为无穷大则管已损坏。

　　IGBT管是电磁炉常用的管，找张电磁炉电路图看一看。根普通的场效应管应用差不多。

　　IGBT的工作原理：IGBT由三个极控制，其分别是C（集电极）、G（栅极）、E（发射极）。IGBT是—种场控器件，其相当于一个PNP型晶体管，其开关由G（栅极）和E（发射极）之间的电压UGE决定。

　　另外，IGBT的作用是提供基地电流和切断基地电流

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点

　　简单来说就是将IGBT当作电子开关，将直流电压通过PWM等方式变为一系列方波，其效果等效为需要输出的交流电压（即进行傅里叶分解后，基波与交流电压有效值相等）