优点：在太阳能逆变器领域，碳化硅二极管的使用量也非常巨大。太阳能逆变器的安装量每年持续增长，预计未来10~15年会有15%的能源（目前是1%）来自太阳能。太阳能是免费的，且取之不尽用之不竭。国内已出台相关政策，个人可以把太阳能电力卖给国家电网。碳化硅半导体可应用于太阳能逆变器的Boost。随着太阳能逆变器成本的优化，不少厂家会使用碳化硅的MOSFET作为主逆变的器件，用来替换原来的三电平（逆变器）控制复杂电路。”王利民说，“在政策驱动方面，欧盟有20-20-20目标，即到2022年，能效提高20%，二氧化碳排放量降低20%，可再生能源达到20%。NEA也设定了清洁能源目标，到2030年要满足中国20%的能源需求。”

　　碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。

　　碳化硅能承受更大的电流和电压、更高的开关速度、更小的能量损失、更耐高温。因此用碳化硅的做成的功率模组可以相应地减少了电容、电感、线圈、散热组件的部件，使得整个功率器件模组更加轻巧、节能、输出功率更强，同时还增强了可靠性，优点十分明显。

　　

　　

　　碳化硅芯片的优点是耐压高、散热快。

　　碳化硅作为目前芯片制程瓶颈突破的一个比较好的研究方向突，有着比较好的电气特性。1.耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm，2.散热容易，3.导通损耗和开关损耗低，4.可以减小功率模块的体积。

　　缺点是反向电流相对较大，就是漏电，当然这都是还处于实验室的技术，要解决问题到制造出商用产品还需要时间。

　　SiC（碳化硅）与Si器件相比存在三方面优势：更高的击穿电压强度；更低的损耗；更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以用在高电压、高开关频率、高功率密度的场合。

　　随着SiC模块功率制造水平的提高，SiC将会是越来越适合电动汽车驱动器的半导体器件，采用SiC器件是实现电动汽车驱动器高功率密度的有效手段。

　　目前，将SiC功率模块应用于电机驱动逆变器的研究越来越多，丰田汽车公司已经在混合动力车上应用了SiC功率模块。