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晶体管

晶体管的电流放大倍数与放大电路的电压倍数有何区别?(电压与晶体管流系数成正比)

晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β,β=IC/IB,这个代表三极管的电流控制能力,一般希望稍微大一些例如100-1000,有时候为了更大的数值采用达林顿接法,用2个三极管组合在一起使β=5000-10000.放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值,A=V0/VI这个数值与β有关系,但是还与三极管的基区电阻rbe和集电极电阻RC、负载电阻RL有关,对于共发射极放大电路来说,A=β*RL`/rbe,其中RL`=RC//RL,rbe=300+(1+β)26/IE,一般rbe大......

nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少?估计值?(增大n的衬底电压,则阈值)

有三个可用引脚的一般是输出可调(或可微调)的基准电压源,例如TL431(输出可调)、LM336(输出可微调),齐纳稳压二极管不需要第三个引脚,即使有第三脚也是空脚(即安装脚,无任何内部电气连接),这种情况以贴片封装的齐纳稳压二极管较常见,如BZX84C2V4LT1G、MMBZ5221BLT1G,都是SOT-23封装的......

中科院微电子研究所研发的3纳米碳基晶体管能推进我国国产芯片产业吗?过流保护的工作原理

对着呢!!???所以与其纠结光刻机和美国封锁芯片,不如加大力度、集中力量研发碳基芯片,如果半导体新材料有所突破,那将是引领世界发展核心!谁也挡不住!现在芯片中的晶体管尺寸为7纳米,也就是FinFET,而三星公司正准备用3纳米的GAA结构的晶体管,推动芯片的制程向3纳米迈进......