对着呢！！???所以与其纠结光刻机和美国封锁芯片，不如加大力度、集中力量研发碳基芯片，如果半导体新材料有所突破，那将是引领世界发展核心！谁也挡不住！

　　现在芯片中的晶体管尺寸为7纳米，也就是FinFET，而三星公司正准备用3纳米的GAA结构的晶体管，推动芯片的制程向3纳米迈进。摩尔定律规定，芯片的制程工艺极限就是3纳米，当芯片达到这一极限后，就必须寻找其他替代品了。

　　而碳纳米晶体管的尺寸可以做到极小。目前来说，国内的碳纳米晶体管尺寸为3纳米，正在向着0.5纳米的晶体管前进。但是不要高兴的太早，碳基芯片还远远没有达到可以取代硅基芯片的地步。现在顶级的硅基芯片上面可以集成上亿个晶体管，而碳基芯片只集成了1.4万个碳纳米晶体管，这差距可不是一般的大啊！

　　要知道即便是国内成功研制出了3纳米的碳晶体管，但是也需要对应的光刻机，蚀刻机等设备，才可以制造出芯片。有了3纳米碳晶体管只能说明，国内已经掌握了替代传统硅基晶体管的技术，并不能说明离制造先进的光刻机只差一步。

　　芯片之所以有计算那能力，就是靠着上面的亿万个晶体管组成的电路。如果说，把芯片比作房子的话，那晶体管只相当于房子里的砖头，线路相当于框架，光刻机和蚀刻机相当于制造房子的工具。也就是说，国内只掌握了制造这所房子所需要的砖头而已，至于盖这所房子必要的工具，还是没有掌握。所以说，当下最重要的就是光刻机的突破。

　　事实上，相同尺寸的碳纳米管晶体和硅基晶体管，碳纳米管的性能要比硅基晶体管高5-10倍。主要是因为

　　当然了。如果石墨稀芯片投入产业化，就彻底绕开了现在光刻机的局限，一跃而引领世界半导体行业方向，抛开了竞争对手的纠缠。

　　我是农民，我种好我一亩三分地就行了。科学的东西我不懂。搞科学的，你搞你的。希望你搞出好成绩来为祖国争光。我种我的地，我不拉你后腿。保证一亩三分地不丢荒。科学家们加油！打破美帝的封锁。

　　一项科研成果，从发现到最终产业化造福人类，都是以十年为单位的，材料如何提取，如何加工，设备如何造，最终芯片性能如何，有没有市场，能否盈利？并且，同时是有很多研究成果和技术路线在竞争，需要有实力雄厚的大公司投入。所以现在我们还是先做好硅半导体和化合物半导体，炭半导体进行技术跟踪，发现突破口再扑上去，用任总的化，多路径，多梯队，多场景投入。

　　那个“碳基晶体管”不接地气，写文章、评职称还行，不可能真正用到台积电、中芯国际这样集成电路大厂的生产工艺中。FinFET工艺在10nm尺度失效以后，7nm、5nm工艺用的是“All Around”，持续用到3nm应该没有大的问题。那个“碳基晶体管”没有可能进入集成电路生产工艺，自嗨一下就湎于众人了。

　　发展下一代的碳基晶体管，是我国在半导体领域实现弯道超车最快的“捷径”。目前，几乎所有的芯片都是硅基芯片，我国无法绕过卡脖子的“光刻机”，也无法绕过高高的专利壁垒，也就是说，如果我国在碳基晶体管方面能够实现突破，就可以像5G技术一样，实现技术引领。

　　目前，几乎所有的芯片都是“硅基”的，根据台积电的规划，2022年实现5nm工艺，2022年实现3nm工艺，2024年实现2nm工艺，然而1nm之后工艺就是硅基半导体的终结，再往下走就要换材料了，比如纳米管、碳纳米管等。

　　其实，碳基晶体管并不是什么新技术，早在1998年，IBM就完成了世界上第一个碳管晶体管，然而，受到当时材料的制约，以及公司战略的转变，IBM放弃了这方面的研究。

　　目前，我国在碳基芯片的研究上处于领先地位，至少在国际上保持了2年的领先优势。相关研究机构，已经突破了碳基半导体材料瓶颈，为规模产业化发展迈出了坚实一步。接下来，在2~3年力求能够完成90nm碳基CMOS先导工艺开发，性能上相当于28nm的硅基器件。

　　如果技术真正成熟，碳基芯片有望将继承电路技术推进到3nm节点以下，性能是硅基芯片的10倍以上。

　　总之，在硅基半导体领域，我国只能追赶，很难实现超越，随着硅基芯片“物理极限”的到来，下一代的技术可能是碳基晶体管，如果我国在碳基半导体领域实现突破，那么可能回像5G技术一行，引领技术发展，而不是被“卡脖子”。

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　　科学技术必须创新，才能够弯道超车。中科院微电所碳基集成电路，是一个了不起的创举，肯定会改变集成电路发展方向。人类发明电子应用，就是从碳开始。爱迪生的碳丝灯泡，碳丝电极电子管。生物也是碳基组成，生物信息传导也是碳基。科学家也预言，未来的电子技术就是碳基革命。因为碳烯有超导性、高强度、高速高频、易于制造、节能。未来的芯片制造也必将是，刻蚀印章式多层3D技术。而碳基是最好的制作材料。硅基材料做集成电路，包含锗、砷化钾，一直是国外半导体前沿的技术。而碳基半导体则具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，更适合在不同领域的应用，成为更好的半导体材料。相比传统硅基技术，碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，因此也被视作是性能更好的半导体材料。与国外硅基技术制造出来的芯片相比，我国碳基技术制造出来的芯片在处理大数据时不仅速度会更快，而且至少能节约30%左右的功耗。碳基芯片比硅基芯片处理数据的速度更快，而且功耗比硅基芯片小很多。在硅基半导体的研发逐渐进入瓶颈期之后，未来全球半导体的发展方向是碳基半导体技术。

　　碳基晶体管要产业化一般也是有个过程的，工艺自然跟硅基不同。工艺及工艺装备的成熟也不是一朝一夕的事。因此要想跟上时代步伐，还得坚持两条腿走路才稳妥

　　众所周知，在硅基芯片领域，也就是以硅为载体的当前芯片技术上，目前中国是相当落后的，80%靠进口，2022年、2022年连续两年进口金额超过3000亿美元。

　　为什么中国芯落后这么多，原因很多，比如起步晚，关键技术、设备、专利等被国外卡着脖子，比如光刻机，半导体设备等等。

　　所以很多人认为，要想在硅基芯片上追上国际水平，不太可能，毕竟别人不可能站在原地等，尤其当芯片技术越来越尖端时，后来者要追上难度越来越大。

　　也有人认为，中国芯片要想追上国际水平，得“换道超车”，即不从硅基芯片这个领域着手，毕竟在一个本来就落后的领域追，步步落后，很难追上的。

　　那么换道怎么换？近日随着一则重大消息发布，这个换道超车的办法，或许有希望了。北京元芯碳基集成电路研究院宣布，中国科学院院士北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队，解决了碳基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度、密度与面积问题。

　　这意味着接下来制造芯片不一定要采用硅了，而可以使用碳来制造了，也就是碳基芯片了。与硅基芯片相比，碳基芯片成本更低、功耗更小、效率更高的优势。

　　在发布会上，负责人还形象的举了个例子，说现在使用硅基芯片的手机，看电视可能看3小时，但如果使用碳基芯片，可以连续看电影9个小时，是原来的3倍，并且开多少个程序都不会出现卡顿。

　　而基于碳基进行芯片的制作，或许也不会受当前硅芯片的专利、技术，甚至光刻机的影响，毕竟碳基芯片的制作工艺不一定和现在的硅基芯片是一样的。

　　不过目前也没有真正规模量产的碳基芯片，更多的还是理论层次，但也正是科学家们的理论研究，最后落到实在，成为现实，所以加油吧，希望在硅基芯片上的落后，通过碳基芯片追回来，不要再落后了。