二极管额定正向工作电流跟温度之间关系。因为电流流过二极管会使管芯发热，造成温度上升，温度超过二极管容许限度则管芯过热而损坏。硅管的温度为（140℃左右），锗管的温度为（90℃左右）。

　　二极管反向电流跟温度之间关系。大约温度每升高10℃，二极管的反向电流增大一倍。假设有一个2AP1型锗二极管，它温度为25℃，它的反正电流为250uA，它的温度为35℃，它的反正电流为500uA。二极管的反向电流超过规定温度和最高反正电压的作用，二极管失去单向导电性作用，且二极管过热损坏。在高温环境，硅二极管的稳定性好于锗二极管。

　　二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。

　　二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半

　　反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。以二极管为例：二极管是正向导通的，二极管两端加反向电压时，电子不能通过二极管，使得二极管相当于断路，但是这个断路取决于把二极管反向接时，二极管两端的电压（即反向电压），如果这个反向电压足够大，二极管就被击穿了