n沟道mos管导通条件

　　导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。

　　1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。

　　2）［t1-t2］区间，GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID，Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。

　　3）［t2-t3］区间，MOSFET的DS电压降至与Vgs相同，产生Millier效应，Cgd电容大大增加，栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电，从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小。

　　4）［t3-t4］区间，至t3时刻，MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压，Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电，Cgs电容的电压上升，至t4时刻为止。此时Cgs电容电压已达稳态，DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。

　　N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。

　　当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。