SiC（碳化硅）与Si器件相比存在三方面优势：更高的击穿电压强度；更低的损耗；更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以用在高电压、高开关频率、高功率密度的场合。随着SiC模块功率制造水平的提高，SiC将会是越来越适合电动汽车驱动器的半导体器件，采用SiC器件是实现电动汽车驱动器高功率密度的有效手段。目前，将SiC功率模块应用于电机驱动逆变器的研究越来越多，丰田汽车公司已经在混合动力车上应用了SiC功率模块。

　　碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。