二极管反向工作峰值电压是反向击穿电压的几倍?二极管最高为击穿的
二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍......
二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍......
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<imgsrc="/tp/wj0326.jpg"alt="15微法......
最早是饮用不同的酒,选用不同的酒杯......
三极管反向击穿电压最大的是VCeo,这个结论是完全错误的......
二极管击穿有两种方式一种是zenerbreakdown也就是齐纳击穿......
3伏;放大区的电压为:电源电压减0.7伏(硅管),(锗管减0.3伏);饱合区电压硅管小于0.7伏,锗管小于0.3伏......
IGBT管反向击穿电压一般都在600v以上,具体视规格,电压超过,电流能控制住一般不会马上击穿,这是晶体管的电击穿(是导通,可以恢复),但是,由于电流升高导致所谓热击穿就是永久击穿了......
中大功率的LED(发光二极管)的反向击穿电压一般在30V-60V之间(有离散性,不是完全一样的),而正向工作电压约3V,所以其正向电压最好不要超过3V,否则容易烧毁......
NPN三极管的2个pn结都有所能承受的耐压值,超过这个电压时,pN结会被击穿,这个电压可以理解为“反向击穿电压”......