光伏组件衰减率国家标准：初装首年衰减率不得超过0.3%，以后每年衰减率不得超过0.07%，第10年的发电量不低于初装发电量的90%，第20年的发电量不低于初装发电量的80%。1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)或《流化床法颗粒硅》(GB/T35307)特级品的要求。

　　2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2μs，碳、氧含量分别小于10ppma和12ppma;P型单晶硅片少子寿命不低于50μs，N型单晶硅片少子寿命不低于500μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。

　　3.多晶硅电池和单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19%和22.5%。

　　4.多晶硅组件和单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于17%和19.6%。

　　5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于12%、15%、14%、14%。

　　6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96.5%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和97.3%)，微型逆变器相关指标分别不低于95%和95.5%